E-Locus - Ιδρυματικό Καταθετήριο Πανεπιστημίου Κρήτης - Κατασκευή και χαρακτηρισμός διόδων Schottky Χρωμίου σε n-τύπου Καρβιδίου του Πυριτίου (4H-Sic)

Αρχική Κατασκευή και χαρακτηρισμός διόδων Schottky Χρωμίου σε n-τύπου Καρβιδίου του Πυριτίου (4H-Sic)

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

[Προσθήκη στο καλάθι]

Κωδικός Πόρου

000390017

Τίτλος

Κατασκευή και χαρακτηρισμός διόδων Schottky Χρωμίου σε n-τύπου Καρβιδίου του Πυριτίου (4H-Sic)

Άλλος τίτλος

Fabrication and characterization of cr-based Schottky diodes on n-type 4H-Sic

Συγγραφέας

Κολιακουδάκης, Χαρίδημος Ε.

Σύμβουλος διατριβής

Ζεκεντές, Κωνσταντίνος

Μέλος κριτικής επιτροπής

Γεωργακίλας, Αλέξανδρος
Ηλιόπουλος, Ελευθέριος

Περίληψη

Η παρούσα μεταπτυχιακή εργασία εκπονήθηκε στο Τμήμα Φυσικής του Πανεπιστημίου Κρήτης και είχε ως σκοπό την κατασκευή και τον χαρακτηρισμό διόδων Schottky Χρωμίου (Cr) πάνω σε n-τύπου Καρβιδίου του Πυριτίου (4Η-SiC). Αναλυτικότερα, κατασκευάστηκαν δίοδοι Schottky από τρεις διαφορετικές επιμεταλλώσεις: (1) (150nm/3nm) Ni/Ti/4H-SiC (2) (200nm) Cr/4H-SiC (3) (100nm/50nm) Au/Cr/4H-SiC Μετά την ολοκλήρωση της κατασκευής των παραπάνω διόδων, το πειραματικό μέρος της εργασίας ολοκληρώθηκε μέσω του ηλεκτρικού χαρακτηρισμού χρησιμοποιώντας I-V και C-V μετρήσεις για τον προσδιορισμό του ύψους φραγμού δυναμικού (Φ_b), του παάγοντα ιδανικότητας (n), καθώς και άλλων φυσικών χαρακτηριστικών. Για τις επιμεταλλώσεις (1) και (2) εξετάστηκε η επίδραση της θερμοκρασίας ανόπτησης στα χαρακτηριστικά των διόδων. Η κατασκευή και ο χαρακτηρισμός των διόδων πραγματοποιήθηκαν στα εργαστήρια της Ομάδας Μικροηλεκτρονικής του Ινστιτούτου Ηλεκτρονικής Δομής και Λέιζερ (ΙΗΔΛ) του Ιδρύματος Τεχνολογίας και Έρευνας (ΙΤΕ). Το θεωρητικό κομμάτι της εργασίας αποσκοπεί στην κατανόηση των βασικών αρχών της Φυσικής της επαφής μετάλλου/ημιαγωγού, δίνοντας ιδιαίτερη έμφαση στις επαφές Χρωμίου (Cr) πάνω σε επιφάνειες υποστρώματος εξαγωνικού μονοκρυστάλλου Καρβιδίου του Πυριτίου (4H-SiC), ν-τύπου, με κρυσταλλογραφικό προσανατολισμό (0001). Το πειραματικό κομμάτι της εργασίας αποσκοπεί στην ανάλυση των συστημάτων/τεχνικών που χρησιμοποιήθηκαν για την κατασκευή και τον χαρακτηρισμό των δειγμάτων. Τέλος, παρουσιάζονται τα αποτελέσματα χωριστά για κάθε επιμετάλλωση, συγκρίνοντας την πειραματική τιμή του ύψους φραγμού δυναμικού με την ιδανική θεωρία Schottky και καταλήγουμε σε τελικά συμπεράσματα.

Φυσική περιγραφή

(xi) 74 σ. : εικ. ; 30 εκ.

Γλώσσα

Ελληνικά

Θέμα

Schottky barrier diode

Schottky contacts

Semiconductors

Δίοδος Schottky

Επαφές μετάλλου-ημιαγωγού

Ημιαγωγοί

Φράγμα δυναμικού Schottky