Περιγραφή του τμήματος full-custom

Χρησιμοποιήσαμε την τεχνολογία CMOS 0.35 micron της SGS Thomson, Crolles, Γαλλία. Είναι σχεδιασμένη για εφαρμογές των 3.3V (-0.6/+0.3V). Είναι τεχνολογία ενός polysilicon, twin-tub CMOS process, με πέντε επίπεδα μετάλλου. Το χαρακτηριστικό της είναι το μήκος της πύλης που είναι 0.35 μm (NMOS & PMOS).

   figure230
Figure 3.1: Το κυρίως τμήμα full-custom

To κυρίως τμήμα full-custom αποτελείται από τρεις μνήμες (την flowGroup, την outMask και την creditMask), δύο αποκωδικοποιητές, έναν αποκωδικοποιητή προτεραιότητας, έναν κανονικό κωδικοποιητή καθώς και τα απαραίτητα περιφερειακά κυκλώματα για να υποστηριχτεί η σωστή λειτουργία. Ένα αφηρημένο διάγραμμα και η φυσική τους τοποθέτηση φαίνεται στο σχήμα 3.1. Ένα άλλο κομμάτι σε full-custom είναι η λίστα ελεύθερων θέσεων, αποτελούμενη από μία αλυσίδα από 256 D-flip-flops και έναν αποκωδικοποιητή προτεραιότητας. Τέλος, ένα ξεχωριστό κύκλωμα σχεδιασμένο σε full-custom αποτελεί και η τετράπορτη μνήμη του αρχείου καταχωρητών δεικτών αρχής και τέλους.




next up previous
Next: Η μνήμη creditMask Up: Υλοποίηση της Διαχείρισης Πολλαπλών Previous: Υλοποίηση της Διαχείρισης Πολλαπλών

Giorgos &
Tue Jul 8 17:26:02 EET DST 1997