E-Locus - Ιδρυματικό Καταθετήριο Πανεπιστημίου Κρήτης - Electrical characterization and modeling of Ni/SiNx/InN MIS structures

Αρχική Electrical characterization and modeling of Ni/SiNx/InN MIS structures

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

[Προσθήκη στο καλάθι]

Κωδικός Πόρου

000403325

Τίτλος

Electrical characterization and modeling of Ni/SiNx/InN MIS structures

Άλλος τίτλος

Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και προσομοίωση δομών Ni/SiNx/InN

Συγγραφέας

Μπελενιώτης, Πέτρος Κ.

Σύμβουλος διατριβής

Γεωργακίλας, Αλέξανδρος

Μέλος κριτικής επιτροπής

Ηλιόπουλος, Ελευθέριος
Δεληγεώργης, Γεώργιος

Περίληψη

To Indium Nitride (InN) είναι ένας ημιαγωγός με εξαιρετικές ιδιότητες, όπως χαμηλή ενεργό μάζα ηλεκτρονίων, υψηλή ευκινησία ηλεκτρονίων και υψηλή ταχύτητα ολίσθησης ηλεκτρονίων, καθιστώντας το υποψήφιο για ηλεκτρονικά υψηλών επιδόσεων. Παρόλα αυτά, σε πυκνωτές Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού (MOS) ή δίοδους Schottky, με InN ως ημιαγωγό, έχει παρατηρηθεί μία ανικανότητα της επαφής πύλης να ελέγξει την συγκέντρωση ηλεκτρονίων. Σε αυτή την εργασία, η δομή Silicon Nitride (SiN_x)/Indium Nitride (InN) μελετήθηκε και αναλύθηκε. Πυκνωτές Μετάλλου-Μονωτή-Ημιαγωγού (MIS) για δύο πάχυ διηλεκτρικού (5 και 10 nm SiN_x) μελετήθηκαν με διάφορες τεχνικές. Ο ημιαγωγός InN αναπτύχθηκε σε σύστημα PAMBE, όπου και εναποτέθηκε in-situ το SiN_x στο στρώμα InN. Μετρήσεις Ρεύματος-Τάσης και Χωρητικότητας-Τάσης πραγματοποιήθηκαν, καθώς και μετρήσεις TLM, με σκοπό τον προσδιορισμό της αντίστασης φύλλου του ημιαγωγού. Ακόμα, για τον προσδιορισμό του ρεύματος διαρροής στο διηλεκτρικό, πραγματοποιήθηκε ανάλυση των μηχανισμών αγωγιμότητας. Τα πειραματικά αποτελέσματα συγκρίθηκαν με αποτελέσματα που προέκυψαν από αυτοσυνεπή επίλυση των εξισώσεων Schrödinger-Poisson. Οι πυκνωτές MIS παρουσίασαν χαμηλό ρεύμα διαρροής και απογύμνωσαν πλήρως τη συγκέντρωση ηλεκτρονίων στο InN. Η σύγκριση των πειραματικών τιμών της τάσης κατωφλίου VT και της συγκέντρωσης ηλεκτρονίων ns με τους υπολογισμούς SCSP, προτείνουν την παρουσία θετικού φορτίου στη διεπιφάνεια SiN_x/InN. Τέλος, η ανάλυση των μηχανισμών αγωγιμότητας δείχνει ότι δύο βασικοί μηχανισμοί (αγωγιμότητα λόγω Hopping και διέλευση σύραγγος Fowler-Nordheim) συνεισφέρουν στο ρεύμα διαρροής.

Φυσική περιγραφή

51 σ. : πίν., σχήμ. εικ. ; 30 εκ.

Γλώσσα

Αγγλικά

Θέμα

Indium Nitride

MIS capacitor

MISCAP

Metal Insulator Semiconductor

Ημερομηνία έκδοσης

2016-11-18

Συλλογή