Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    Polycrystalline SiC for brain implantable electrodes  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου 000449508
Τίτλος Polycrystalline SiC for brain implantable electrodes
Άλλος τίτλος Πολυκρυσταλλικό SiC για εμφυτεύσιμα ηλεκτρόδια εγκεφάλου
Συγγραφέας Γαβαλάς, Μιχάλης Γ.
Σύμβουλος διατριβής Δεληγεώργης, Γεώργιος
Μέλος κριτικής επιτροπής Ζεκεντές, Κωνσταντίνος
Γεωργακίλας, Αλέξανδρος
Mercier, Frederic
Συνεργάτης Institute Polytechnique de Grenoble, Université Grenoble-Alpes, France
Περίληψη Η τεχνολογία καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχει προσελκύσει μεγάλο ενδιαφέρον τα τελευταία χρόνια στην ερευνητική κοινότητα κυρίως λόγω της καταλληλότητας της για εφαρμογές υψηλής ισχύος. Σήμερα το SiC έχει επίσης μεγάλη απήχηση, λόγω της βιοσυμβατότητάς του με τους οργανικούς ιστούς, για βιοϊατρική έρευνα και εφαρμογές, καθώς και για την κατασκευή νευρικών διεπαφών ηλεκτρονικών τσιπ εγκεφάλου και συστοιχιών μικροηλεκτροδίων (ΜΕΑ). Η παρούσα διατριβή ασχολείται με την ανάπτυξη λεπτών υμενίων πολυκρυσταλλικού SiC με χημική εναπόθεση ατμών χαμηλής πίεσης (LPCVD) για εφαρμογές νευρικών διεπαφών. Η μελέτη εστιάζει στην ανάπτυξη σε χαμηλές θερμοκρασίες κάτω από τους 1200oC με τη χρήση αντιδραστήρα ψυχρού τοιχώματος. Η επί τόπου πρόσμιξη των λεπτών υμενίων επιτυγχάνεται με αμμωνία. Η εναπόθεση πραγματοποιείται σε πλακίδια πυριτίου. Η επί τόπου επεξεργασία με χλώριο κατά τη σύνθεση αποδεικνύεται σημαντική για τη διαμόρφωση του ρυθμού εναπόθεσης και του συνολικού πάχους του αναπτυσσόμενου λεπτού υμενίου. Επιπλέον, δείχνουμε ότι το αέριο διχλωρίδιο επηρεάζει επίσης το μέγεθος των κόκκων και τη συνολική μορφολογία της επιφάνειας του υμενίου. Το αναπτυγμένο υλικό εξετάζεται με μεθόδους δομικού, μηχανικού και ηλεκτρικού χαρακτηρισμού για τον προσδιορισμό του αναπτυγμένου πάχους, της κρυσταλλικότητας, της μορφολογίας της επιφάνειας, της παραμένουσας τάσης, της ειδικής ηλεκτρικής αντίστασης και της ηλεκτροχημικής ικανότητας αποθήκευσης φορτίου. Αποδεικνύεται ότι η μικροσκοπική δομή επηρεάζει βαθιά τις μακροσκοπικές ιδιότητες των εναποτιθέμενων υμενίων. Ο συνολικός χαρακτηρισμός δείχνει ότι τα πολυκρυσταλλικά λεπτά υμένια SiC μπορούν να λειτουργήσουν σωστά ως ενεργό υλικό για την καταγραφή-διέγερση της νευρικής διεπαφής.
Φυσική περιγραφή 52 σ. : πίν., σχήμ. εικ. (μερ. εγχρ.) ; 30 εκ.
Γλώσσα Αγγλικά
Θέμα Cyclic voltammetry
Design of experiment
Electrochemical impedance spectroscopy
Low pressure chemical vapor deposition
Neural interfaces
n-doping
Κυκλική βολταμετρία
Νευρο-διεπαφές
Σχεδιασμός πειραμάτων
Φασματοσκοπία ηλεκτροχημικής εμπέδισης
Χημική εναπόθεση ατμών
Ημερομηνία έκδοσης 2022-07-22
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
  Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
Εμφανίσεις 65

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available

Δεν έχετε δικαιώματα για να δείτε το έγγραφο.
Δεν θα είναι διαθέσιμο έως: 2023-07-22