E-Locus - Ιδρυματικό Καταθετήριο Πανεπιστημίου Κρήτης - Polycrystalline SiC for brain implantable electrodes

Αρχική Polycrystalline SiC for brain implantable electrodes

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

[Προσθήκη στο καλάθι]

Κωδικός Πόρου

000449508

Τίτλος

Polycrystalline SiC for brain implantable electrodes

Άλλος τίτλος

Πολυκρυσταλλικό SiC για εμφυτεύσιμα ηλεκτρόδια εγκεφάλου

Συγγραφέας

Γαβαλάς, Μιχάλης Γ.

Σύμβουλος διατριβής

Δεληγεώργης, Γεώργιος

Μέλος κριτικής επιτροπής

Ζεκεντές, Κωνσταντίνος
Γεωργακίλας, Αλέξανδρος
Mercier, Frederic

Συνεργάτης

Institute Polytechnique de Grenoble, Université Grenoble-Alpes, France

Περίληψη

Η τεχνολογία καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχει προσελκύσει μεγάλο ενδιαφέρον τα τελευταία χρόνια στην ερευνητική κοινότητα κυρίως λόγω της καταλληλότητας της για εφαρμογές υψηλής ισχύος. Σήμερα το SiC έχει επίσης μεγάλη απήχηση, λόγω της βιοσυμβατότητάς του με τους οργανικούς ιστούς, για βιοϊατρική έρευνα και εφαρμογές, καθώς και για την κατασκευή νευρικών διεπαφών ηλεκτρονικών τσιπ εγκεφάλου και συστοιχιών μικροηλεκτροδίων (ΜΕΑ). Η παρούσα διατριβή ασχολείται με την ανάπτυξη λεπτών υμενίων πολυκρυσταλλικού SiC με χημική εναπόθεση ατμών χαμηλής πίεσης (LPCVD) για εφαρμογές νευρικών διεπαφών. Η μελέτη εστιάζει στην ανάπτυξη σε χαμηλές θερμοκρασίες κάτω από τους 1200oC με τη χρήση αντιδραστήρα ψυχρού τοιχώματος. Η επί τόπου πρόσμιξη των λεπτών υμενίων επιτυγχάνεται με αμμωνία. Η εναπόθεση πραγματοποιείται σε πλακίδια πυριτίου. Η επί τόπου επεξεργασία με χλώριο κατά τη σύνθεση αποδεικνύεται σημαντική για τη διαμόρφωση του ρυθμού εναπόθεσης και του συνολικού πάχους του αναπτυσσόμενου λεπτού υμενίου. Επιπλέον, δείχνουμε ότι το αέριο διχλωρίδιο επηρεάζει επίσης το μέγεθος των κόκκων και τη συνολική μορφολογία της επιφάνειας του υμενίου. Το αναπτυγμένο υλικό εξετάζεται με μεθόδους δομικού, μηχανικού και ηλεκτρικού χαρακτηρισμού για τον προσδιορισμό του αναπτυγμένου πάχους, της κρυσταλλικότητας, της μορφολογίας της επιφάνειας, της παραμένουσας τάσης, της ειδικής ηλεκτρικής αντίστασης και της ηλεκτροχημικής ικανότητας αποθήκευσης φορτίου. Αποδεικνύεται ότι η μικροσκοπική δομή επηρεάζει βαθιά τις μακροσκοπικές ιδιότητες των εναποτιθέμενων υμενίων. Ο συνολικός χαρακτηρισμός δείχνει ότι τα πολυκρυσταλλικά λεπτά υμένια SiC μπορούν να λειτουργήσουν σωστά ως ενεργό υλικό για την καταγραφή-διέγερση της νευρικής διεπαφής.

Φυσική περιγραφή

52 σ. : πίν., σχήμ. εικ. (μερ. εγχρ.) ; 30 εκ.

Γλώσσα

Αγγλικά

Θέμα

Cyclic voltammetry

Design of experiment

Electrochemical impedance spectroscopy

Low pressure chemical vapor deposition

Neural interfaces

n-doping

Κυκλική βολταμετρία