![](/gfx/header_el.jpg)
Αρχική
Επιταξιακή ανάπτυξη και χαρακτηρισμός GaAs, A1xGa1-xAs και InyGa1-yAs πάνω σε υποστρώματα Si
Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες
|
||||
Κωδικός Πόρου | uch.physics.phd//1990DIS0479 | |||
Τίτλος | Επιταξιακή ανάπτυξη και χαρακτηρισμός GaAs, A1xGa1-xAs και InyGa1-yAs πάνω σε υποστρώματα Si | |||
Άλλος τίτλος | Epitaxial growth and characterization of III-V semiconductors GaAs, AlxGa1-xAs and InyGa1-yAs on Si substrates | |||
Συγγραφέας | Γεωργακίλας, Αλέξανδρος | |||
Σύμβουλος διατριβής | Χρήστου, Α. | |||
Γλώσσα | Ελληνικά | |||
Ημερομηνία έκδοσης | 1990-03-01 | |||
Ημερομηνία διάθεσης | 1998-06-2 | |||
Συλλογή | Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Διδακτορικές διατριβές | |||
Τύπος Εργασίας--Διδακτορικές διατριβές | ||||
Εμφανίσεις | 628 |
Ψηφιακά τεκμήρια | |
---|---|
![]() |