Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    Επιταξιακή ανάπτυξη και χαρακτηρισμός GaAs, A1xGa1-xAs και InyGa1-yAs πάνω σε υποστρώματα Si  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου uch.physics.phd//1990DIS0479
Τίτλος Επιταξιακή ανάπτυξη και χαρακτηρισμός GaAs, A1xGa1-xAs και InyGa1-yAs πάνω σε υποστρώματα Si
Άλλος τίτλος Epitaxial growth and characterization of III-V semiconductors GaAs, AlxGa1-xAs and InyGa1-yAs on Si substrates
Συγγραφέας Γεωργακίλας, Αλέξανδρος
Σύμβουλος διατριβής Χρήστου, Α.
Γλώσσα Ελληνικά
Ημερομηνία έκδοσης 1990-03-01
Ημερομηνία διάθεσης 1998-06-2
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Διδακτορικές διατριβές
  Τύπος Εργασίας--Διδακτορικές διατριβές
Εμφανίσεις 248

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available