Αρχική
Επιταξιακή ανάπτυξη και χαρακτηρισμός GaAs, A1xGa1-xAs και InyGa1-yAs πάνω σε υποστρώματα Si
Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες
|
||||
| Κωδικός Πόρου | uch.physics.phd//1990DIS0479 | |||
| Τίτλος | Επιταξιακή ανάπτυξη και χαρακτηρισμός GaAs, A1xGa1-xAs και InyGa1-yAs πάνω σε υποστρώματα Si | |||
| Άλλος τίτλος | Epitaxial growth and characterization of III-V semiconductors GaAs, AlxGa1-xAs and InyGa1-yAs on Si substrates | |||
| Συγγραφέας | Γεωργακίλας, Αλέξανδρος | |||
| Σύμβουλος διατριβής | Χρήστου, Α. | |||
| Γλώσσα | Ελληνικά | |||
| Ημερομηνία έκδοσης | 1990-03-01 | |||
| Ημερομηνία διάθεσης | 1998-06-2 | |||
| Συλλογή | Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Διδακτορικές διατριβές | |||
| Τύπος Εργασίας--Διδακτορικές διατριβές | ||||
| Εμφανίσεις | 605 | |||
| Ψηφιακά τεκμήρια | |
|---|---|
|
|
