| Περίληψη |
Η παρούσα εργασία µελετάει τον εντοπισµό (localization) των φορέων σε δείγµατα InGaN µε ποσοστό In 40% και καλή κρυσταλλική δοµή. Τα δείγµατα που χρησιµοποιήϑηκαν στη συγκεκριµένη µελέτη παρουσιάζουν ενεργειακό χάσµα περί τα 2 eV. Η σύνϑεση των δειγµάτων, καϑώς και ο οπτικός χαρακτηρισµός τους, έγινε στο Τµήµα Φυσικής του Πανεπιστηµίου Κρήτης. Από τις µετρήσεις φωτοφωταύγειας προσδιορίζονται χαρακτηριστικά των δειγµάτων σχετικά µε τον εντοπισµό των φορέων. Για την ανάλυση των δεδοµένων εφαρµόζεται το µοντέλο της Localized State Ensemble (LSE), σε συνδυασµό µε το εµπειρικό µοντέλο του Varshni και το ηµι-εµπειρικό µοντέλο των Viña et al. για την εξάρτηση του ενεργειακού χάσµατος από τη ϑερµοκρασία. Αναπτύσσονται τρεις προσεγγιστικές µέϑοδοι µε σκοπό την εύρεση της µεϑόδου που επιτυγχάνει τα καλύτερα αποτελέσµατα µε τις ελάχιστες παραµέτρους. Υπολογίζεται για πρώτη φορά η παράµετρος bowing για την παραβολική εξάρτηση των παραµέτρων Varshni από το γραµµοµοριακό κλάσµα InN του InGaN, καϑώς και οι παράµετροι Viña για το InN και GaN. Σχολιάζεται η επίδραση των συνϑηκών ανάπτυξης των δειγµάτων στο βαϑµό του εντοπισµού. Το µοντέλο της LSE προσεγγίζει σε εν γένει ικανοποιητικό βαϑµό τα πειραµατικά δεδοµένα. Ο βαϑµός του εντοπισµού φαίνεται να µπορεί να προσεγγιστεί άµεσα µέσω της ϑερµοκρασίας ελάχιστης ενέργειας εκποµπής, Tcr, αλλά και της ελάττωσης της εκπεμπόμενης ενέργειας, ∆E. Το φαινόµενο του εντοπισµού ελαττώνεται σε ανάπτυξη υπό χαµηλές ϑερµοκρασίες υποστρώµατος και στοιχειoµετρικό περιβάλλον
|
Μελέτη της επίδρασης εντοπισμού των φορέων στις οπτικές ιδιότητες κραμάτων InGaN
