Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    Η διεργασία της νιτρίιδωσης του Al2O3(0001)και οι συνέπειες της στην επίταξη GaN/Al2O3 με τη μέθοδο ΜΒΕ  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου uch.physics.msc//2001mikroulis
Τίτλος Η διεργασία της νιτρίιδωσης του Al2O3(0001)και οι συνέπειες της στην επίταξη GaN/Al2O3 με τη μέθοδο ΜΒΕ
Συγγραφέας Μικρούλης, Σπυρίδων
Περίληψη Το GaN αποτελεί τον σημαντικότερο ίσως ημιαγωγό από ερευνητικής άποψης στις αρχές του 21ου αιώνα. Αυτό οφείλεται στις πολλές και ποικίλες δυνατότητες εφαρμογών του. Χαρακτηριστικό παράδειγμα αποτελούν τα τρανζίστορ υψηλής ισχύος που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ενισχυτές για ασύρματες επικοινωνίες, τα μπλε LEDs που έχουν σαν άμεση εφαρμογή την κατασκευή οθόνων απεικόνισης (displays) ή οι δίοδοι laser που εκπέμπουν στο μπλε και το υπεριώδες και έχουν το πλεονέκτημα του μικρότερου μήκους κύματος σε σχέση με τις προηγούμενες τεχνολογίες (π.χ. GaAs) που τους δίνει την δυνατότητα αποθήκευσης μεγαλύτερης ποσότητας πληροφορίας π.χ. σε CD-ROMs. Είναι λοιπόν μεγίστης σημασίας η βαθύτερη κατανόηση και βελτιστοποίηση της ποιότητας των αναπτυσσόμενων υμενίων GaN και αποτελεί μια μεγάλη πρόκληση για μια τεχνολογικά αναπτυσσόμενη χώρα όπως η Ελλάδα.
Ημερομηνία έκδοσης 2001-11-01
Ημερομηνία διάθεσης 2001-09-04
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
  Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
Εμφανίσεις 195

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available

Προβολή Εγγράφου
Εμφανίσεις : 5