
Αρχική
Επιταξιακή ανάπτυξη GaN πάνω σε υποστρώματα Si (111), GaAs (111) και GaN (0001)
Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες
|
||||
Κωδικός Πόρου | uch.physics.msc//2004adikimenakis | |||
Τίτλος | Επιταξιακή ανάπτυξη GaN πάνω σε υποστρώματα Si (111), GaAs (111) και GaN (0001) | |||
Συγγραφέας | Αδικημενάκης, Αδάμ | |||
Γλώσσα | Ελληνικά | |||
Ημερομηνία έκδοσης | 2004-09-16 | |||
Συλλογή | Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης | |||
Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης | ||||
Εμφανίσεις | 166 |
Ψηφιακά τεκμήρια | |
---|---|
![]() |
Κατέβασμα Εγγράφου |