Αρχική
Επιταξιακή ανάπτυξη GaN πάνω σε υποστρώματα Si (111), GaAs (111) και GaN (0001)
Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες
|
||||
| Κωδικός Πόρου | uch.physics.msc//2004adikimenakis | |||
| Τίτλος | Επιταξιακή ανάπτυξη GaN πάνω σε υποστρώματα Si (111), GaAs (111) και GaN (0001) | |||
| Συγγραφέας | Αδικημενάκης, Αδάμ | |||
| Γλώσσα | Ελληνικά | |||
| Ημερομηνία έκδοσης | 2004-09-16 | |||
| Συλλογή | Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης | |||
| Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης | ||||
| Εμφανίσεις | 132 | |||
| Ψηφιακά τεκμήρια | |
|---|---|
|
Κατέβασμα Εγγράφου |
