Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    Μικροκοιλότητες νιτριδίων για πολαριτονικές διατάξεις  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου 000416931
Τίτλος Μικροκοιλότητες νιτριδίων για πολαριτονικές διατάξεις
Άλλος τίτλος Nitride microcavities for polariton devices
Συγγραφέας Μίζιου, Φωτεινή Γ.
Σύμβουλος διατριβής Γεωργακίλας, Αλέξανδρος
Μέλος κριτικής επιτροπής Πελεκάνος, Νικόλαος
Χατζόπουλος, Ζαχαρίας
Περίληψη Οι ημιαγωγοί της ομάδας των ΙΙΙ‐Νιτριδίων, λόγω των μοναδικών ιδιοτήτων τους, συγκεντρώνουν τα τελευταία χρόνια όλο και περισσότερο το ενδιαφέρον της ερευνητικής κοινότητας στον τομέα της οπτοηλεκτρονικής. Πιο συγκεκριμένα, σε οτι έχει να κάνει με την κατασκευή μικροκοιλοτήτων που λειτουργούν στην περιοχή ισχυρής σύζευξης έχει αποδειχθεί οτι η επιλογή του GaN επιτρέπει τη λειτουργία πολαριτονικών διατάξεων με εξαιρετικές επιδόσεις, που θα λειτουργούν σε θερμοκρασία δωματίου. Στα πλαίσια αυτής της εργασίας, σχεδιάστηκε και αναπτύχθηκε μια σειρά δειγμάτων με διαφορετικό αριθμό πολικών κβαντικών πηγαδιών GaN/AlGaN πάνω σε ένα στρώμα c‐InGaN/GaN. Παράλληλα, αποσκοπώντας στον περιορισμό των πιεζοηλεκτρικών πεδίων πόλωσης που εμφανίζονται σε πολικές δομές και επηρεάζουν την απόδοση των c‐plane φωτονικών διατάξεων, κατασκευάστηκε και ένα μη πολικό (m‐plane) δείγμα με την ίδια δομή. Πριν από κάθε διαδικασία επεξεργασίας των δειγμάτων πραγματοποιήθηκαν μετρήσεις φωτοφωταύγειας και ανακλαστικότητας έτσι ώστε να μελετηθούν τα εξιτονικά χαρακτηριστικά των κβαντικών πηγαδιών των πολικών και μη δομών, καθώς και η κρυσταλλική τους ποιότητα. Απώτερος στόχος ήταν η κατασκευή free standing μεμβρανών GaN/AlGaN, πάχους 3λο/2nc ~200nm, ο οποίος επετεύχθη με χρήση της μεθόδου της επιλεκτικής φωτο‐ηλεκτροχημικής χάραξης για την πλευρική αφαίρεση του InGaN στρώματος. Το αξιοσημείωτο της παρούσας εργασίας είναι πως για πρώτη φορά κατασκευάστηκαν μεμβράνες από μη πολικά δείγματα με τη συγκεκριμένη μέθοδο. Στη συνέχεια, οι μεμβράνες που δημιουργήθηκαν μεταφέρθηκαν πάνω σε έτοιμα διηλεκτρικά κάτοπτρα τύπου Distributed Bragg Reflectors (DBR), δημιουργώντας τη μισή μικροκοιλότητα, η οποία ολοκληρώθηκε με την εναπόθεση του πάνω διηλεκτρικού κατόπτρου. Γενικότερα, παρατηρήθηκαν αρκετά ομοιόμορφες μεμβράνες, άρτια ενσωματωμένες ανάμεσα στα διηλεκτρικά κάτοπτρα, παρ'όλο που σε αρκετές περιπτώσεις μετά την εναπόθεση του πάνω κατόπτρου οι μεμβράνες εμφάνιζαν μια μορφή παραμόρφωσης (καμπύλωση). Σε μια πρώτη προσπάθεια κατανόησης αυτής της συμπεριφοράς ελέγξαμε κατά πόσο επηρεάζεται η καμπύλωση των μεμβρανών από την αναντιστοιχία στους συντελεστές θερμικής διαστολής (thermal mismatch) μεταξύ του GaN και των υλικών των DBRs. Έτσι, στον καθρέπτη SiO2/Ta2O5 που χρησιμοποιούσαμε μέχρι πρότινος, το SiO2 με το μικρότερο συντελεστή θερμικής διαστολής σε σύγκριση με τα υπόλοιπα υλικά αντικαταστάθηκε με Al2O3, χωρίς όμως να παρατηρηθεί κάποια ιδιαίτερη βελτίωση. Από την άλλη πλευρά, μειώνοντας την θερμοκρασία εναπόθεσης των κατόπτρων από τους 300°C στους 150°C και τον αριθμό των περιόδων του top DBR, η καμπύλωση των μεμβρανών ελαχιστοποιήθηκε.
Φυσική περιγραφή 66 σ.; : πίν., σχήμ. εικ. (μερ. εγχρ.) ; 30 εκ.
Γλώσσα Ελληνικά
Θέμα Etching
Excitons
Gan
Membranes
Non-polar
Pec
Polaritons
Quantum wells
Εγχάραξη
Εξιτόνια
Κβαντικά πηγάδια
Μεμβράνες
Μη-πολικές δομές
Μικροκοιλότητες
Νιτρίδια
Πολαριτόνια
Ημερομηνία έκδοσης 2018-07-20
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
  Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
Εμφανίσεις 229

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available

Προβολή Εγγράφου
Εμφανίσεις : 22