E-Locus - Ιδρυματικό Καταθετήριο Πανεπιστημίου Κρήτης - Development of high temperature single photon emitters based on InAs piezoelectric quantum dots

Αρχική Development of high temperature single photon emitters based on InAs piezoelectric quantum dots

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

[Προσθήκη στο καλάθι]

Κωδικός Πόρου

000411943

Τίτλος

Development of high temperature single photon emitters based on InAs piezoelectric quantum dots

Άλλος τίτλος

Ανάπτυξη μονοφωτονικών πηγών υψηλών θερμοκρασιών με βάση πιεζοηλεκτρικές κβαντικές τελείες InAs

Συγγραφέας

Θυρής, Ιωάννης Μ.

Σύμβουλος διατριβής

Πελεκάνος, Νικόλαος

Μέλος κριτικής επιτροπής

Χατζόπουλος, Ζαχαρίας
Κοπιδάκης, Γεώργιος

Περίληψη

Η παρούσα εργασία έχει ως θέμα την πειραματική μελέτη των πιεζοηλεκτρικών κβαντικών τελειών InAs που έχουν αναπτυχθεί κατά την (211)Β κρυσταλλογραφική διεύθυνση, με σκοπό την ανάπτυξη μονοφωτονικών πηγών οι οποίες λειτουργούν σε υψηλές θερμοκρασίες. Οι μονοφωτονικές πηγές είναι χρήσιμες σε θέματα κβαντικής πληροφορίας, καθώς οι καταστάσεις πόλωσης του φωτονίου είναι υποψήφιες για την δημιουργία qubits. Αρχικά, δίνεται μία εισαγωγή στις πιεζοηλεκτρικές κβαντικές τελείες και παρουσιάζεται το απαραίτητο υπόβαθρο. Στην συνέχεια, μετά την παρουσίαση της έννοιας του short-periodsuper-lattice που είναι κρίσιμη για την επίτευξη εκπομπής σε υψηλές θερμοκρασίες, γίνεται μία πειραματική μελέτη γύρω από την λειτουργία σε υψηλές θερμοκρασίεςδειγμάτων που αναπτύχθηκαν για τις ανάγκες της εργασίας, με τον χαρακτηρισμό της εκπομπής τους με φωτο-φωταύγεια. Έπειτα, παρουσιάζεται η ιδέα της εισαγωγής των κβαντικών τελειών μέσα σε μικροκοιλότητες για την ενίσχυση του σήματος. Αφού γίνει μια εισαγωγή για το πώς η μικροκοιλότητα επηρρεάζει την εκπομπή των τελειών, ακολουθεί μία πειραματική μελέτη σε δείγματα με μικροκοιλότητες, όπου η μεν εκπομπή των τελειών χαρακτηρίστηκε με φωτο-φωταύγεια, τα δε χαρακτηριστικά της μικροκοικοιλότητας από μετρήσεις ανακλαστικότητας, ενώ σε ένα από αυτά τα δείγματα έγιναν μετρήσεις μικρο-φωταύγειας έπειτα από την δημιουργία micro-pillars. Τέλος, συζητήθηκε ο μηχανισμός με τον οποίο το ποσοστό ινδίου είναι μειωμένος στις τελείες μας, αλλά και πώς αυτό μπορεί να αυξηθεί με την χρήση ενός AlAscapping-layer, ενώ έγινε μία πειραματική μελέτη στην επίδραση που έχει η εναπόθεση AlAs πάνω στις τελείες, στην εκπομπή και στην μορφολογία αυτών.

Φυσική περιγραφή

[x], 57 σ.; : πίν., σχήμ. εικ.(μερ. εγχρ.) ; 30 εκ.

Γλώσσα

Αγγλικά

Θέμα

AlAs capping-layer

Micro-Photoluminescence

Micro-cavity

Photoluminescence

Short-Period Super-Lattice

Single-Dot spectroscopy

Single-Photon emitters