Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    Development of high temperature single photon emitters based on InAs piezoelectric quantum dots  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου 000411943
Τίτλος Development of high temperature single photon emitters based on InAs piezoelectric quantum dots
Άλλος τίτλος Ανάπτυξη μονοφωτονικών πηγών υψηλών θερμοκρασιών με βάση πιεζοηλεκτρικές κβαντικές τελείες InAs
Συγγραφέας Θυρής, Ιωάννης Μ.
Σύμβουλος διατριβής Πελεκάνος, Νικόλαος
Μέλος κριτικής επιτροπής Χατζόπουλος, Ζαχαρίας
Κοπιδάκης, Γεώργιος
Περίληψη Η παρούσα εργασία έχει ως θέμα την πειραματική μελέτη των πιεζοηλεκτρικών κβαντικών τελειών InAs που έχουν αναπτυχθεί κατά την (211)Β κρυσταλλογραφική διεύθυνση, με σκοπό την ανάπτυξη μονοφωτονικών πηγών οι οποίες λειτουργούν σε υψηλές θερμοκρασίες. Οι μονοφωτονικές πηγές είναι χρήσιμες σε θέματα κβαντικής πληροφορίας, καθώς οι καταστάσεις πόλωσης του φωτονίου είναι υποψήφιες για την δημιουργία qubits. Αρχικά, δίνεται μία εισαγωγή στις πιεζοηλεκτρικές κβαντικές τελείες και παρουσιάζεται το απαραίτητο υπόβαθρο. Στην συνέχεια, μετά την παρουσίαση της έννοιας του short-periodsuper-lattice που είναι κρίσιμη για την επίτευξη εκπομπής σε υψηλές θερμοκρασίες, γίνεται μία πειραματική μελέτη γύρω από την λειτουργία σε υψηλές θερμοκρασίεςδειγμάτων που αναπτύχθηκαν για τις ανάγκες της εργασίας, με τον χαρακτηρισμό της εκπομπής τους με φωτο-φωταύγεια. Έπειτα, παρουσιάζεται η ιδέα της εισαγωγής των κβαντικών τελειών μέσα σε μικροκοιλότητες για την ενίσχυση του σήματος. Αφού γίνει μια εισαγωγή για το πώς η μικροκοιλότητα επηρρεάζει την εκπομπή των τελειών, ακολουθεί μία πειραματική μελέτη σε δείγματα με μικροκοιλότητες, όπου η μεν εκπομπή των τελειών χαρακτηρίστηκε με φωτο-φωταύγεια, τα δε χαρακτηριστικά της μικροκοικοιλότητας από μετρήσεις ανακλαστικότητας, ενώ σε ένα από αυτά τα δείγματα έγιναν μετρήσεις μικρο-φωταύγειας έπειτα από την δημιουργία micro-pillars. Τέλος, συζητήθηκε ο μηχανισμός με τον οποίο το ποσοστό ινδίου είναι μειωμένος στις τελείες μας, αλλά και πώς αυτό μπορεί να αυξηθεί με την χρήση ενός AlAscapping-layer, ενώ έγινε μία πειραματική μελέτη στην επίδραση που έχει η εναπόθεση AlAs πάνω στις τελείες, στην εκπομπή και στην μορφολογία αυτών.
Φυσική περιγραφή [x], 57 σ.; : πίν., σχήμ. εικ.(μερ. εγχρ.) ; 30 εκ.
Γλώσσα Αγγλικά
Θέμα AlAs capping-layer
Micro-Photoluminescence
Micro-cavity
Photoluminescence
Short-Period Super-Lattice
Single-Dot spectroscopy
Single-Photon emitters
Μονοφωτονικές πηγές
Ημερομηνία έκδοσης 2017-11-22
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
  Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
Εμφανίσεις 114

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available

Δεν έχετε δικαιώματα για να δείτε το έγγραφο.
Δεν θα είναι διαθέσιμο έως: 2018-11-22