E-Locus - Ιδρυματικό Καταθετήριο Πανεπιστημίου Κρήτης

Αρχική Συλλογές Τύπος Εργασίας Διδακτορικές διατριβές

Διδακτορικές διατριβές

Εντολή Αναζήτησης : Συγγραφέας="Μπερτσιάς" Και Συγγραφέας="Γεώργιος"

Τρέχουσα Εγγραφή: 3 από 2490

[Προσθήκη στο καλάθι]

Κωδικός Πόρου

000467052

Τίτλος

Polarization-resolved second and third harmonic generation in 2D materials

Άλλος τίτλος

Γέννηση δεύτερης και τρίτης αρμονικής με εξάρτηση από την πόλωση σε δισδιάστατα υλικά

Συγγραφέας

Μαραγκάκης, Γεώργιος Μιλτιάδης Ε.

Σύμβουλος διατριβής

Στρατάκης, Εμμανουήλ

Μέλος κριτικής επιτροπής

Κιοσέογλου, Γεώργιος
Μακρής, Κωνσταντίνος
Κομίνης, Ιωάννης
Κοπιδάκης, Γεώργιος
Λυμπεράκης, Λυβέριος
Πελεκάνος, Νικόλαος

Περίληψη

Στην παρούσα διδακτορική διατριβή, μελετάται η γέννηση δεύτερης και τρίτης αρμονικής (second and third harmonic generation - SHG, THG) που παράγεται από δισδιάστατα (2D) υλικά, όταν αλληλεπιδρούν με το πεδίο λέιζερ. Χρησιμοποιώντας σάρωση λέιζερ, καταγράφονται χωρικά διακριτές εντάσεις SHG ή THG, καθώς περιστρέφεται η γραμμική πόλωση τού πεδίου τού λέιζερ, εκτελώντας απεικόνιση μικροσκοπίας SHG ή THG με εξάρτηση από την πόλωση (polarization-resolved SHG or THG - P-SHG, P-THG). Έπειτα, τα πειραματικά δεδομένα περιγράφονται με εξισώσεις βασισμένες σε κατάλληλα μοντέλα μη γραμμικής οπτικής. Οι μέθοδοι που παρουσιάζονται είναι εξολοκλήρου οπτικές, καλύπτουν μεγάλη περιοχή, είναι ελάχιστα επεμβατικές και γρήγορες. Στην πρώτη εργασία (Κεφάλαιο 2), γίνεται P-SHG απεικόνιση σε ένα ατομικά λεπτό κρύσταλλο δισουλφιδίου τού βολφραμίου (WS₂), ο οποίος ανήκει στα διχαλκογενή μέταλλα μετάπτωσης, και εξάγεται πληροφορία για την κατανομή τής κρυσταλλικής διεύθυνσης. Στη δεύτερη εργασία (Κεφάλαιο 3), παρουσιάζεται μία τεχνική μη γραμμικής οπτικής απεικόνισης, βασισμένη σε μικροσκοπία SHG και ένα μοντέλο συμβολής SHG, προκειμένου να χαρτογραφηθεί σε μία 2D ετεροδομή WS₂/δισουλφιδίου του μολυβδαινίου (MoS₂) η σχετική γωνία (twist angle). Στην τρίτη εργασία (Κεφάλαιο 4), μελετώνται οι P-SHG ιδιότητες πολύ λεπτών κρυστάλλων θειούχου κασσίτερου (tin(II) sulfide - SnS). Το SnS χαρακτηρίζεται από “εντός-του-επιπέδου” (in-plane) ανισοτροπική απόκριση, προσφέροντας έναν επιπλέον βαθμό ελευθερίας στην αξιοποίηση των ιδιοτήτων του. Υπολογίζονται οι κρυσταλλογραφικές διευθύνσεις, καθώς και τα σχετικά μεγέθη των στοιχείων τού τένσορα τής δεύτερης-τάξης μη γραμμικής οπτικής επιδεκτικότητας. Στην τέταρτη εργασία (Κεφάλαιο 5), δείχνεται ότι το σήμα THG που παράγεται από πολύ λεπτό SnS είναι in-plane ανισοτροπικό, σε σχέση με την προσπίπτουσα γραμμική πόλωση τού πεδίου τού λέιζερ. Υπολογίζονται τα σχετικά μεγέθη των στοιχείων τού τένσορα τής τρίτης-τάξης μη γραμμικής οπτικής επιδεκτικότητας.

Φυσική περιγραφή

122 σ. : πίν., σχήμ., εικ. (μερ. εγχρ.) ; 30 εκ.

Γλώσσα

Αγγλικά

Θέμα

In-plane anisotropic response

Multiphoton microscopy imaging

Πολυφωτονική μικροσκοπία απεικόνισης

“Εντος-του-επιπέδου” (in-plane) ανισοτροπική απόκριση

Ημερομηνία έκδοσης

2024-09-09

Συλλογή