Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    Αναζήτηση  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Εντολή Αναζήτησης : Συγγραφέας="Γεωργακίλας"  Και Συγγραφέας="Αλέξανδρος"

Τρέχουσα Εγγραφή: 10 από 24

Πίσω στα Αποτελέσματα Προηγούμενη σελίδα
Επόμενη σελίδα
Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου 000403325
Τίτλος Electrical characterization and modeling of Ni/SiNx/InN MIS structures
Άλλος τίτλος Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και προσομοίωση δομών Ni/SiNx/InN
Συγγραφέας Μπελενιώτης, Πέτρος Κ.
Σύμβουλος διατριβής Γεωργακίλας, Αλέξανδρος
Μέλος κριτικής επιτροπής Ηλιόπουλος, Ελευθέριος
Δεληγεώργης, Γεώργιος
Περίληψη To Indium Nitride (InN) είναι ένας ημιαγωγός με εξαιρετικές ιδιότητες, όπως χαμηλή ενεργό μάζα ηλεκτρονίων, υψηλή ευκινησία ηλεκτρονίων και υψηλή ταχύτητα ολίσθησης ηλεκτρονίων, καθιστώντας το υποψήφιο για ηλεκτρονικά υψηλών επιδόσεων. Παρόλα αυτά, σε πυκνωτές Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού (MOS) ή δίοδους Schottky, με InN ως ημιαγωγό, έχει παρατηρηθεί μία ανικανότητα της επαφής πύλης να ελέγξει την συγκέντρωση ηλεκτρονίων. Σε αυτή την εργασία, η δομή Silicon Nitride (SiNx)/Indium Nitride (InN) μελετήθηκε και αναλύθηκε. Πυκνωτές Μετάλλου-Μονωτή-Ημιαγωγού (MIS) για δύο πάχυ διηλεκτρικού (5 και 10 nm SiNx) μελετήθηκαν με διάφορες τεχνικές. Ο ημιαγωγός InN αναπτύχθηκε σε σύστημα PAMBE, όπου και εναποτέθηκε in-situ το SiNx στο στρώμα InN. Μετρήσεις Ρεύματος-Τάσης και Χωρητικότητας-Τάσης πραγματοποιήθηκαν, καθώς και μετρήσεις TLM, με σκοπό τον προσδιορισμό της αντίστασης φύλλου του ημιαγωγού. Ακόμα, για τον προσδιορισμό του ρεύματος διαρροής στο διηλεκτρικό, πραγματοποιήθηκε ανάλυση των μηχανισμών αγωγιμότητας. Τα πειραματικά αποτελέσματα συγκρίθηκαν με αποτελέσματα που προέκυψαν από αυτοσυνεπή επίλυση των εξισώσεων Schrödinger-Poisson. Οι πυκνωτές MIS παρουσίασαν χαμηλό ρεύμα διαρροής και απογύμνωσαν πλήρως τη συγκέντρωση ηλεκτρονίων στο InN. Η σύγκριση των πειραματικών τιμών της τάσης κατωφλίου VT και της συγκέντρωσης ηλεκτρονίων ns με τους υπολογισμούς SCSP, προτείνουν την παρουσία θετικού φορτίου στη διεπιφάνεια SiNx/InN. Τέλος, η ανάλυση των μηχανισμών αγωγιμότητας δείχνει ότι δύο βασικοί μηχανισμοί (αγωγιμότητα λόγω Hopping και διέλευση σύραγγος Fowler-Nordheim) συνεισφέρουν στο ρεύμα διαρροής.
Φυσική περιγραφή 51 σ. : πίν., σχήμ. εικ. ; 30 εκ.
Γλώσσα Αγγλικά
Θέμα Indium Nitride
MIS capacitor
MISCAP
Metal Insulator Semiconductor
Ημερομηνία έκδοσης 2016-11-18
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
  Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
Μόνιμη Σύνδεση https://elocus.lib.uoc.gr//dlib/5/5/6/metadata-dlib-1476780635-728474-15541.tkl Bookmark and Share
Εμφανίσεις 333

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available

Προβολή Εγγράφου
Εμφανίσεις : 2