E-Locus - Ιδρυματικό Καταθετήριο Πανεπιστημίου Κρήτης

Αρχική Αναζήτηση

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Εντολή Αναζήτησης : Συγγραφέας="Ευτύχης" Και Συγγραφέας="Σάββας"

Τρέχουσα Εγγραφή: 2 από 2

[Προσθήκη στο καλάθι]

Κωδικός Πόρου

000372462

Τίτλος

Βελτιστοποίηση ηλεκτρικής άντλησης πολαριτονικών διατάξεων GaAs

Άλλος τίτλος

Improved electrical injection of GaAs polaritonic devices

Συγγραφέας

Ευτύχης, Σάββας

Σύμβουλος διατριβής

Πελεκάνος, Νικόλαος

Περίληψη

Η ραγδαία εξέλιξη της τεχνολογίας και της φυσικής ημιαγωγών τα τελευταία χρόνια οδήγησε στην ανάπτυξη πτοηλεκτρονικών δομών σε διαστάσεις μικρομέτρων. Η αύξηση της ακρίβειας στις τεχνολογίες ανάπτυξης συντέλεσαν στην δημιουργία υψηλής ποιότητας ημιαγώγιμων διατάξεων. Στον τομέα των νοπτοηλεκτρονικών διατάξεων, αυτή αύξηση της ποιότητας σήμανε την καλύτερη αξιοποίηση φορέων για την παραγωγή φωτός. Η παραγωγή του πρώτου laser κάθετης εκπομπής (VCSEL) με την χρήση κατόπτρων Bragg το 1979 και οι έρευνες που ακολούθησαν σε αυτό τον τομέα, συντέλεσαν στην καλύτερη κατανόηση της συμπεριφοράς των φορέων σε ετεροδομές και στην αλληλεπίδρασή τους με την εντοπισμένη σε κοιλότητα ακτινοβολία. Σε αυτή την εργασία που έγινε στα πλαίσια του Master Μικροηλεκτρονικής και Οπτοηλεκρονικής του Τμήμα Φυσικής του Πανεπιστημίου Κρήτης, στόχος ήταν η βελτιστοποίηση μικροκοιλοτήτων στην παραγωγή φωτός, μέσω της καλύτερης αξιοποίησης φορέων για παραγωγή φωτός. Πιο συγκεκριμένα σε προηγούμενη μικροκοιλόητα που αναπτύχθηκε(917), παρατηρήθηκε ότι φορείς επανασυνδέονται εκτός της ενεργού περιοχής. Αυτό οδήγησε στην ανάπτυξη μικροκοιλότητας με βελτιστοποιημένη δομή(943), ώστε οι φορείς να περιορίζονται και να επανασυνδέονται στην ενεργό περιοχή. Στην εργασία αυτή χαρακτηρίζεται η βελτιστοποιημένη δομή με μετρήσεις ανακλαστικότητας και φωτοφωταύγειας και μετά την κατάλληλη επεξεργασία και ανάπτυξη μικροκοιλοτήτων στην δομή αυτή, γίνεται οπτικός χαρακτηρισμός ηλεκτροφωταύγειας και λαμβάνονται χαρακτηριστικές ρεύματος-τάσης σε διάφορες θερμοκρασίες. Παρατηρήθκε μια βελτίωση στον περιορισμό φορέων στην ενεργό πριοχή στην μικροκοιλότητα 943 σε σχέση με την μικροκοιλότητα 917, αλλά και πάλι οι απώλειες φορέων από την κοιλότητα ήταν σημαντικές. Οι απώλειες αυτές αποδίδονται στην μεγάλη αντίσταση των οπών στα p⁺ DBR σε αντίθεση με την μεγάλη ευκινησία των ηλεκτρονίων. Έ τσι για περαιτέρω βελτιστοποίηση, έγινε μοντελοποίηση αποδεκτών κατανομής δ στα p⁺ DBR χρησιμοποιώντας το λογισμικό πακέτο Next Nano³, που έχει σαν απώτερο στόχο τη μείωση της αντίστασης των οπών.

Φυσική περιγραφή

80 σ. : χάρτ., πίν., έγχ. εικ. ; 30 εκ.

Γλώσσα

Ελληνικά

Θέμα

Carrier injection

Delta dopping

Exitons

Microcavities

Schrodinger-Poisson

Self consistent

Άντληση Φορέων