Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    CMOS compatible non-volatile memory devices based on III-N quantum dots  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου 000374504
Τίτλος CMOS compatible non-volatile memory devices based on III-N quantum dots
Άλλος τίτλος Μη πτητικά στοιχεία μνήμης με κβαντικές τέλειες ΙΙΙ-Ν συμβατά με τεχνολογία CMOS
Συγγραφέας Παπαδομανωλάκη, Έλενα
Σύμβουλος διατριβής Ηλιόπουλος, Ελευθέριος
Περίληψη Για να ερευνηθούν οι ιδιότητες μνήμης κβαντικών τελειών φτιαγμένων από GaN, κατασκευάστηκαν πυκνωτές MOS με ενσωματωμένους, μέσα στο οξείδιο του πυριτίου, νανοκρυστάλλους από GaN. Τα δείγματα αναπτύχθηκαν πάνω σε υπόστρωμα πυριτίου n-τύπου και σαν μέταλλο πύλης χρησιμοποιήθηκε το αλουμίνιο. Κατασκευάστηκε επίσης ένα δείγμα αναφοράς που δεν περιείχε νανοκρυστάλλους. Η χωρητικότητα μετρήθηκε συναρτήσει της τάσης σε υψηλή συχνότητα. Παρουσιάστηκε αρκετά μεγάλη υστέρηση στη χωρητικότητα όλων των δειγμάτων εκτός του δείγματος αναφοράς, το οποίο δεν εμφάνισε καθόλου υστέρηση. Οι C-V χαρακτηριστικές δείχνουν ότι γίνεται έγχυση ηλεκτρονίων από το υπόστρωμα αλλά όχι οπών. Βρέθηκε ότι το μέτρο της υστέρησης αυξάνεται με την ποσότητα του GaN που βρίσκεται μέσα στο οξείδιο. Μετρήσεις με τετραγωνικούς παλμούς επιβεβαιώνουν ότι υπάρχει ασυμμετρία ανάμεσα στην έγχυση ηλεκτρονίων και οπών και ότι η διαγραφή αυτών των διατάξεων είναι δυσκολότερη από την εγγραφή. Μετρήσεις για το χρόνο συγκράτησης που έγιναν σε θερμοκρασία δωματίου δείχνουν προοπτική για το χρόνο συγκράτησης των δέκα χρόνων που απαιτείται για μη πτητικότητα. Τέλος, έγιναν μετρήσεις της χρονικής απόκρισης προκειμένου να ερευνηθούν περαιτέρω οι μηχανισμοί έγχυσης. Το τρανζίστορ συνεχούς αιωρούμενης πύλης αντιμετωπίζει διάφορα προβλήματα που έχουν κυρίως να κάνουν με τη μείωση των διαστάσεών του. Αυτό δεν επιτρέπει στις μη-πτητικές μνήμες να παρακολουθήσουν το ρυθμό σμίκρυνσης άλλων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Γι αυτό το λόγο, έχουν προταθεί στη βιβλιογραφία εναλλακτικές λύσεις για το τρανζίστορ αιωρούμενης πύλης και μία από αυτές είναι το τρανζίστορ αιωρούμενης πύλης νανοκρυστάλλων. Προς αυτήν την κατεύθυνση, οι νανοκρύσταλλοι από GaN έχουν δύο σημαντικά πλεονεκτήματα: το GaN θεωρείται ότι έχει τη ζώνη αγωγιμότητάς του χαμηλότερα από εκείνη του πυριτίου κι αυτό μπορεί να δώσει βελτιωμένους χρόνους συγκράτησης. Επιπλέον, η κατασκευή κβαντικών τελειών GaN είναι συμβατή με CMOS τεχνολογία. Η παρούσα εργασία ερευνά τις δυνατότητες των κβαντικών τελειών από GaN στις εφαρμογές για μη-πτητικές μνήμες. Στο πρώτο κεφάλαιο γίνεται μια εισαγωγή στις βασικές έννοιες που αφορούν τις μη-πτητικές μνήμες. Το δεύτερο κεφάλαιο περιλαμβάνει το θεωρητικό υπόβαθρο που χρειάζεται για την κατανόηση της εργασίας. Καταρχήν, περιγράφεται η φυσική του πυκνωτή MOS με την έμφαση να δίνεται στη χωρητικότητά του. Οι παράγραφοι που ακολουθούν εξετάζουν τις ιδιότητες της αιωρούμενης πύλης, τόσο της συνεχούς όσο και της αιρούμενης πύλης νανοκρυστάλλων. Τέλος, το κεφάλαιο 3 περιγράφει λεπτομερώς την πειραματική διαδικασία, τα αποτελέσματα και την ανάλυσή τους.
Φυσική περιγραφή 106 σ. : χάρτ., πίν., έγχ. εικ. ; 30 εκ.
Γλώσσα Αγγλικά
Θέμα Gan quantum dots
Mos capacitance
Nanocrystal floating-gate transistor
Κβαντικές τελείες GAN
Τρανσίστορ αιωρούμενης πύλης νανοκρυστάλλων
Χωρητικότητα επαφής MOS
Ημερομηνία έκδοσης 2012-07-20
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
  Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης
Εμφανίσεις 251

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available

Προβολή Εγγράφου
Εμφανίσεις : 24