E-Locus - Ιδρυματικό Καταθετήριο Πανεπιστημίου Κρήτης - Nanostructured doped nickel oxide thin films made by RF sputtering as hole transfer layers for transparent optoelectronic devices

Αρχική Nanostructured doped nickel oxide thin films made by RF sputtering as hole transfer layers for transparent optoelectronic devices

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

[Προσθήκη στο καλάθι]

Κωδικός Πόρου

000444325

Τίτλος

Nanostructured doped nickel oxide thin films made by RF sputtering as hole transfer layers for transparent optoelectronic devices

Συγγραφέας

Αϊβαλιώτη, Χρυσούλα

Σύμβουλος διατριβής

Πελεκάνος, Νίκος
Απεραθίτης, Ηλίας

Μέλος κριτικής επιτροπής

Στούμπος, Κωνσταντίνος
Ρεμεδιάκης, Ιωάννης

Περίληψη

Η αυξανόμενη κατανάλωση ενέργειας και κατά συνέπεια η αύξηση των ατμοσφαιρικών ρύπων έχουν οδηγήσει σε φαινόμενα όπως η υπερθέρμανση του πλανήτη (φαινόμενο του θερμοκηπίου) με τις γνωστές επιπτώσεις στο περιβάλλον και ανθρώπινη υγεία. Τα κτίρια ευθύνονται για την κατανάλωση περίπου 40% της συνολικής παραγόμενης ενέργειας, ενώ τα παράθυρα ευθύνονται για την απώλεια του 10-25% της θερμικής ενέργειας των κτιρίων. Ένα σωστά σχεδιασμένο έξυπνο παράθυρο μπορεί να ελέγχει και να διαμορφώνει την ηλιακή θερμότητα και τον φωτισμό και είναι ταυτόχρονα δυνατή η παραγωγή και αποθήκευση ηλιακής ενέργειας. Τα τελευταία χρόνια, υπάρχει αυξανόμενο ενδιαφέρον για τα οξείδια μετάλλων λόγω των εξαιρετικών ιδιοτήτων τους. Η αναδυόμενη κατηγορία ημιαγωγών οξειδίου μεγάλου χάσματος μπορεί να κατασκευαστεί ως διάφανα ηλιακά κύτταρα, να συλλέγει την ηλιακή ακτινοβολία UV και να ενσωματωθεί στην οπτοηλεκτρονική ως παραγωγοί ενέργειας. Έτσι, τα διάφανα ηλιακά κύτταρα μπορούν να χρησιμοποιηθούν για ενεργειακά αυτόνομα έξυπνα παράθυρα όπως ηλεκτροχρωμικά η/και αλλεπάλληλα ηλιακά κύτταρα. Σε αυτήν την εργασία, νανοδομημένα υμένια NiO χωρίς προσμίξεις η με προσμίξεις αζώτου (N) ή νιοβίου (Nb) ή συνδυασμό αζώτου και νιοβίου κατασκευάστηκαν με rf sputtering χρησιμοποιώντας στόχους Ni και Ni-Nb σε πλάσμα που περιέχει % (Ar-O2-N2) αέρια. Όλα τα υμένια ήταν ημιαγωγοί οξειδίου τύπου p, αλλά μόνο τα υμένια NiO με προσμίξεις Ν ήταν διαάφανα. Τα στρώματα οξειδίου χαρακτηρίστηκαν με AFM, XRD, SEM-EDX, XPS, Halleffect και UV-Vis-NIR φασματοσκοπία και τα βέλτιστα χρησιμοποιήθηκαν για την επίδειξη όλων των φωτοβολταϊκών οξειδίων UV. Κατασκευάστηκαν ετεροδομές βασισμένες σε οξείδια μετάλλων, δηλαδή p-NiO/n-TiO2 και οι ιδιότητες των ετεροδιόδων ερευνήθηκαν στο σκοτάδι και ως ηλιακά κύτταρα ευαίσθητα στην υπεριώδη ακτινοβολία. Τα στρώματα του TiO2 αποτελούνταν από διπλά μεσοπορώδη/συμπαγή TiO2 υμένια, όπως αυτά που χρησιμοποιούνται στα ηλιακά κύτταρα περοβσκίτη υψηλής απόδοσης.

Φυσική περιγραφή

121 σ. : είκ.(μερ. εγχρ.) ; 30 εκ.

Γλώσσα

Αγγλικά

Ημερομηνία έκδοσης

2021-11-26

Συλλογή

Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης

Τύπος Εργασίας--Μεταπτυχιακές εργασίες ειδίκευσης

Εμφανίσεις

336

Ψηφιακά τεκμήρια
	Κατέβασμα Εγγράφου Προβολή Εγγράφου Εμφανίσεις : 5