|
|
| Κωδικός Πόρου |
uch.physics.phd//2002loukakos |
| Τίτλος |
The influence of structure on ultrafast electron dynamics in non-stoichiometric III-V semiconductors and metallic nano-composites |
| Άλλος τίτλος |
Η επίδραση της δομής στην υπερταχεία ηλεκτρονιακή δυναμική σε μη-στοιχειομετρικούς III-V ημιαγωγούς και μεταλλικές νανο-συνθέσεις |
| Συγγραφέας |
Λουκάκος, Παναγιώτης Α
|
|
Σύμβουλος διατριβής
|
Φωτάκης, Κωνσταντίνος
|
| Περίληψη |
Η τεχνική της υπερταχείας φασματοσκοπίας άντλησης, ανίχνευσης χρησιμοποιήθηκε ώστε να μελετηθεί η ηλεκτρονική συμπεριφορά παγίδευσης σε μη-στοιχειομετρικό GaAs και AlGaAs και για να μελετηθεί η επίδραση της μείωσης του μεγέθους νανοσωματιδίων Au στην κινητική κατάσταση του ηλεκτρονικού πληθυσμού τους. Η δυναμική κατάσταση των ηλεκτρονίων της ζώνης αγωγιμότητας σε Χαμηλής-Θερμοκρασίας-Ανάπτυξης GaAs και AlGaAs μελετάται μέσω διέγερσης ηλεκτρονίων στην περιοχή του πυθμένα της ζώνης αγωγιμότητας και ανίχνευσης των επαγόμενων μεταβατικών αλλαγών στην απορρόφηση από την κορυφή της ζώνης σθένους προς τον πυθμένα της ζώνης αγωγιμότητας του ημιαγωγού. Οι μη-στοιχειομετρικοί ημιαγωγοί που εξετάζουμε περιέχουν συσσωματώματα As. Η συμπεριφορά παγίδευσης των ηλεκτρονίων βρίσκεται να εξαρτάται από τη μέση ακτίνα α και τη μέση απόσταση R των συσσωματωμάτων As. Η αλληλοσυσχέτιση αυτών των δύο παραμέτρων για πρώτη φορά προκύπτει πειραματικά να καθορίζεται από το νόμο ατ3R∝, ο οποίος μπορεί να προβλεφθεί θεωρητικά υποθέτοντας παγίδευση των ηλεκτρονίων στις επιφάνειες των συσσωματωμάτων As εν μέσω διάχυσης. Η κινητική κατάσταση των περιορισμένων, μέσα σε νανοσωματίδια Au, ηλεκτρονίων μελετάται μέσω διατάραξης του ηλεκτρονιακού πληθυσμού στην περιοχή της ενέργειας Fermi και ανίχνευσης των μεταβατικών διαζωνικών μεταβάσεων από τις ζώνες-d προς την επιφάνεια Fermi. Από την πειραματική μελέτη προκύπτει μία επιτάχυνση του μηχανισμού της εσωτερικής ηλεκτρονιακής ανακατομής της ενέργειας με τη μείωση (αύξηση) του μεγέθους του νανοσωματιδίου (περιορισμού). Τα αποτελέσματα δείχνουν μία ανεξαρτησία από τον περιβάλλοντα διηλεκτρικό ξενιστή και βρίσκεται σε συμφωνία με ένα αριθμητικό πρότυπο βασισμένο στην μείωση της θωρακισμένης αλληλεπίδρασης Coulomb. Ομοίως, ο μηχανισμός της ψύξης του θερμοποιημένου ηλεκτρονιακού πληθυσμού προς το πλέγμα επιταχύνεται με τη μείωση του μεγέθους.
|
| Γλώσσα |
Αγγλικά |
| Ημερομηνία έκδοσης |
2002-05-01 |
| Ημερομηνία διάθεσης |
2002-05-16 |
| Συλλογή
|
Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Διδακτορικές διατριβές
|
|
|
Τύπος Εργασίας--Διδακτορικές διατριβές
|
| Εμφανίσεις |
612 |
The influence of structure on ultrafast electron dynamics in non-stoichiometric III-V semiconductors and metallic nano-composites
