Your browser does not support JavaScript!

Αρχική    Experimental and theoretical study of 3C-Silicon Carbide nanowire field effect transistors  

Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες

Προσθήκη στο καλάθι
[Προσθήκη στο καλάθι]
Κωδικός Πόρου 000361110
Τίτλος Experimental and theoretical study of 3C-Silicon Carbide nanowire field effect transistors
Άλλος τίτλος Πειραματική και θεωρητική μελέτη τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου με βάση νανονήματα καρβιδίου του πυριτίου
Συγγραφέας Ρογδάκης, Κωνσταντίνος Ιω
Σύμβουλος διατριβής Τζανετάκης, Παναγιώτης
Μέλος κριτικής επιτροπής Bano, Edwige
Ζεκεντές, Κωνσταντίνος
Περίληψη Η ανάπτυξη και ο χαρακτηρισμός νανοδομών μιας διάστασης (1-Δ) όπως νανονήματα, νανοκολόνες ή νανοσωλήνες ημιαγωγών υψηλού χάσματος έχουν πρόσφατα εκτενώς μελετηθεί εξαιτίας των πιθανών εφαρμογών τους στη νανοηλεκτρονική, σε αισθητήρες, μπαταρίες και οθόνες εκπομπής πεδίου. Η χρήση νανονημάτων επιτρέπει ομοκεντρική γεωμετρία διηλεκτρικού πύλης και καναλιού του τρανζίστορ η οποία είναι ιδανική για την περαιτέρω σμίκρυνση των διαστάσεων της διάταξης και καλύτερο ηλεκτροστατικό έλεγχο των φορέων. Ανάμεσα στους ημιαγωγούς υψηλού χάσματος, το καρβίδιο του πυριτίου (3C-SiC) έχει μεγάλο συντελεστή θερμικής αγωγιμότητας, μεγάλη τιμή ηλεκτρικού πεδίου κατάρρευσης και μέτρου ελαστικότητας, μεγάλη ταχύτητα ολίσθησης ηλεκτρονίων καθώς και εξαιρετική χημική και φυσική σταθερότητα. Επομένως, νανονήματα 3C-SiC, κατασκευασμένα ακολουθώντας τεχνικές είτε από «πάνω προς τα κάτω» ή από «κάτω προς τα πάνω», αναμένεται να δημιουργήσουν μια νέα οικογένεια ηλεκτρικών διατάξεων οι οποίες θα χρησιμοποιηθούν ως πρόσθετες/επέκταση στην υπάρχουσα τεχνολογία πυριτίου. Η παρούσα διδακτορική διατριβή χωρίζεται σε τρία κύρια μέρη. Στο πρώτο κεφάλαιο παρουσιάζεται μια εισαγωγή στην κατασκευή γενικά νανονημάτων και στις βασικές ιδιότητές τους καθώς και σε διατάξεις βασισμένες σε αυτά. Η θεωρητική μας μελέτη εν συνεχεία ακολουθεί στο δεύτερο κεφάλαιο, όπου τρανζίστορ βασισμένα σε νανονήματα 3C-SiC λειτουργούν είτε στην βαλλιστική περιοχή ή στην περιοχή όπου υπάρχει σκέδαση φορέων. Πιο συγκεκριμένα, παρουσιάζουμε αριθμητικές προσομοιώσεις τρανζίστορ περιμετρικής πύλης βασισμένα σε νανονήματα 3C-SiC και πυριτίου (Si) χρησιμοποιώντας έναν κβαντικό αλγόριθμο βασιζόμενο σε αυτό-συνεπή λύση των εξισώσεων Poisson και Schrödinger υπό τον φορμαλισμό εξισώσεων Green εκτός ισορροπίας (NEGF). Μια άμεση σύγκριση ανάμεσα σε διατάξεις 3C-SiC και πυριτίου επισημαίνει τις βασικές διαφορές των δύο ημιαγωγών όσον αφορά στην ηλεκτρική τους συμπεριφορά. Το τρίτο και τέταρτο κεφάλαιο αναφέρονται στην ανάπτυξη των νανονημάτων, στην κατασκευή των τρανζίστορ και στον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό τους. Στο τελευταίο μέρος της διδακτορικής διατριβής παρουσιάζουμε την προσομοίωση των πειραματικών μας αποτελεσμάτων χρησιμοποιώντας το λογισμικό προσομοίωσης Silvaco. Η ακριβής προσομοίωση μας επιτρέπει να υπολογίσουμε τη συγκέντρωση και την ευκινησία των φορέων στα νανονήματα, και επίσης να εκτιμήσουμε την ποιότητα της διεπιφάνειας ανάμεσα στα νανονήματα και το διηλεκτρικό υλικό, καθώς και να εντοπίσουμε την επίδραση της μείωσης της συγκέντρωσης των φορέων, του ύψους φραγμού στις επαφές πηγής και απαγωγού καθώς και της ποιότητας της διεπιφάνειας στην απόδοση του τρανζίστορ.
Φυσική περιγραφή 84 σ. : εικ. ; 30 εκ.
Γλώσσα Αγγλικά
Θέμα 3C-Silicon Carbide
Field effect transistors
Nanowires
Κυβικό καρβίδιο του πυριτίου
Νανονήματα
Τρανζίστορ εγκάρσιου πεδίου
Ημερομηνία έκδοσης 2010-10-11
Συλλογή   Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Διδακτορικές διατριβές
  Τύπος Εργασίας--Διδακτορικές διατριβές
Εμφανίσεις 274

Ψηφιακά τεκμήρια
No preview available

Προβολή Εγγράφου
Εμφανίσεις : 25