Αρχική
Αναζήτηση
Αποτελέσματα - Λεπτομέρειες
Εντολή Αναζήτησης : Όλα τα πεδία="Χρήστου"
Τρέχουσα Εγγραφή: 10 από 10
|
|||||||
| Κωδικός Πόρου | uch.physics.phd//1990DIS0479 | ||||||
| Τίτλος | Επιταξιακή ανάπτυξη και χαρακτηρισμός GaAs, A1xGa1-xAs και InyGa1-yAs πάνω σε υποστρώματα Si | ||||||
| Άλλος τίτλος | Epitaxial growth and characterization of III-V semiconductors GaAs, AlxGa1-xAs and InyGa1-yAs on Si substrates | ||||||
| Συγγραφέας | Γεωργακίλας, Αλέξανδρος | ||||||
| Σύμβουλος διατριβής | Χρήστου, Α. | ||||||
| Γλώσσα | Ελληνικά | ||||||
| Ημερομηνία έκδοσης | 1990-03-01 | ||||||
| Ημερομηνία διάθεσης | 1998-06-2 | ||||||
| Συλλογή | Σχολή/Τμήμα--Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών--Τμήμα Φυσικής--Διδακτορικές διατριβές | ||||||
| Τύπος Εργασίας--Διδακτορικές διατριβές | |||||||
| Μόνιμη Σύνδεση |
https://elocus.lib.uoc.gr//dlib/7/0/7/metadata-dlib-1990DIS0479.tkl
|
||||||
| Εμφανίσεις | 608 | ||||||
| Ψηφιακά τεκμήρια | |
|---|---|
|
|
